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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

在電子工程世界為您找到如下關于“mosfet”的新聞

現代IGBT/mosfet柵極驅動器提供隔離功能的最大功率限制
摘要 本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。 在高度可靠、高性能的應用中,如電動/混合動力汽車,隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術的引進,現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器...
類別:材料技術 2019-06-21 標簽: IGBT MOSFET
高壓mosfet第四種技術AccuMOS?產品 成倍提升行業功率密度
,2019年6月18日正式發布的AccuMOS?產品,很好地解決了上述難題。AccuMOS?采用自主研發的“全新電場操縱”技術,首次將摩爾定律引入高壓功率場效應管(MOSFET)設計,可將Rsp值(Specific Rdson,單位面積電阻)隨設計線寬逐步縮小。本次派微電子發布的AccuMOS?產品功率密度已經達到LDMOS和VDMOS業界最好水平 的2倍以上,并且隨著線寬...
類別:半導體生產 2019-06-19 標簽: MOSFET AccuMOS
捷捷微電:芯片年產能160萬片,將擴充mosfet、IGBT等產品線
生產線、新型片式元器件和光電混合集成電路封測產線,擴充MOSFET、IGBT等產品線,為中長期增長奠定基礎。江蘇捷捷微電子股份有限公司創建于1995年,是一家專業從事半導體分立器件、電力電子器件研發、制造及銷售的江蘇省高新技術企業。據其官網介紹,目前公司擁有五條半導體功率器件產品線。...
類別:便攜/移動產品 2019-06-06 標簽: 捷捷微電
盤點安森美在電動汽車領域的布局
的是ON的車輛電氣化產品組合。該公司的電源產品包括IGBT(絕緣柵雙極晶體管),具有廣泛的雙極電流承載能力。這些產品包括用于牽引驅動應用的高功率IGBT器件,在650V-1200V范圍內。安森美半導體還生產高壓柵極驅動器(功率放大器,采用低功率IC輸入并為IGBT或MOSFET產生高電流驅動輸入)和高壓整流器,將AC轉換為單向DC。此外,安森美半導體還提供超結MOSFET...
類別:動力系統 2019-06-06 標簽: 安森美 電動汽車 功率 MOSFET
技術文章—常見mosfet失效模式的分析與解決方法
,因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用,包括高端服務 器、平板顯示器電源的應用。但是,包含有LLC諧振半 橋的ZVS橋式拓撲,需要一個帶有反向快速恢復體二極 管的MOSFET,才能獲得更高的可靠性。 在功率變換市場中,尤其對于通信/服務器電源應用,不 斷提高功率密度和追求更高效率已經成為具...
類別:電源設計 2019-05-28 標簽: MOSFET
Power Integrations發布集成900 V初級mosfet離線式開關電源IC
深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司發布一系列集成了900 V初級MOSFET的離線式開關電源IC。新發布的器件既包括適合高效率隔離反激式電源的IC,也包括適合簡單型非隔離降壓式變換器的IC。其應用范圍包括480 VAC三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高品質...
類別:驅動 2019-05-07 標簽: Power Integrations
如何選擇mosfet——電機控制
本文主要討論特定終端應用需要考慮的具體注意事項,首先從終端應用中將用于驅動電機的FET著手。電機控制是30V-100V分立式MOSFET的一個龐大且快速增長的市場,特別是對于許多驅動直流電機的拓撲結構來說。在此,我們將專注于討論如何選擇正確的FET來驅動有刷、無刷和步進電機。盡管很少有硬性規定,且可能有無數種方法,但希望本文能讓您基于終端應用了解從何處著手。 要做...
類別:智能工業 2019-04-30 標簽: MOSFET 電機控制
ROHM開發出內置 SiC mosfet AC/DC轉換器IC
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調、街燈等工業設備,開發出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1)的AC/DC轉換器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。  近年來,隨著節能意識的提高,在交流400V工業設備領域,相比現有的Si功率半導體,可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體...
類別:轉換器 2019-04-18 標簽: ROHM AC DC轉換器
圍繞汽車電子,芯片廠商之間的這場爭奪戰會越來越熱鬧
的緩解做出巨大貢獻。這就使得這個新型材料器件非常適合于在電源、汽車、鐵路、工業設備、家用消費電子設備等各個領域。尤其是今年來隨著電動車等產業的發展要求,市場對SiC的需求大增。據麥姆斯咨詢分析,2018年全球有超過20家的汽車業者,在OBC中使用SiC肖特基二極管(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未來SiC功率半導體在OBC市場中有望以CAGR 44...
類別:汽車電子 2019-04-03 標簽: ST SiC功率器件 肖特基二極管 MOSFET
被動元件價格暴跌,MLCC和mosfet首當其沖
零組件陷盤整,被動元件好景不復見!業界傳出,微軟因MLCC庫存水位過高、四處詢問代工廠有沒有需要?最近連漲價概念MOSFET也跟著頭大,近期不僅供需相當平衡,價格也是松動在即,讓已經跟英飛凌簽訂條件嚴苛的長期供貨合約的業者覺得傷腦筋。 業界預期,比起被動元件價格「躺平」,MOSFET價格狀況應該會好一點,只會從「站著」變成「坐著」而已。 業界傳出,去年...
類別:半導體生產 2019-04-01 標簽: MLCC MOSFET

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MOSFET驅動AN799MOSFET 驅動器與 MOSFET 的匹配設計作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驅動器吸收靜態電流而產生的功 耗。簡介當今多種 MOSFET 技術和硅片制程并存,而且技術進 步日新月異。要根據 MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺 寸, 對如何將 MOSFET...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: MOSFET 驅動
MOSFET的基礎知識:2.功率MOSFET 的結構和工作原理:功率MOSFET的種類:按導電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET 主要是N溝道增強型。2.1 功率MOSFET 的結構功率 MOSFET 的內部結構和電氣符號如圖1 所示;其導通時...
類別:電機 2013年09月20日 標簽: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field EffectTransistor場效應晶體管),即以金屬層...
類別:電機 2013年09月29日 標簽: MOSFET 的工 作原
選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的作者:飛兆半導體公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez隨著制造技術的發展和進步,系統設計人員必須跟上技術的發展步伐,才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件,工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 選擇 正確 MOSFET 工程 師所 需要 知道
功率MOSFET的基本知識功率MOSFET的基本知識自 1976 年開發出功率 MOSFET 以來,由于半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如高壓功率 MOSFET 其工 作電壓可達 1000V;低導通電阻 MOSFET 其阻值僅 lOm;工作頻率范圍從直流到達數兆赫;保護措施越來越完善;并開 發出各種貼片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 功率 MOSFET 的基 本知
功率場效 應晶體管MOSFET 功率場效應晶體管MOSFET 摘要:文中闡述了MOSFET的結構、工作原理、靜態、動態特性,并對動態特性的改進進行了論述,簡介了MOSFET的驅動電路及其發展動態。 關鍵詞:MOSFET 結構 特性 驅動電路 發展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
類別:模擬及混合電路 2013年06月18日 標簽: MOSFET
能同時滿足高、低b值的晶體管工作要求的設計方案8.2.6驅動效率8.3貝克(baker)鉗位8.3.1baker鉗位的工作原理8.3.2使用變壓器耦合的baker鉗位電路8.3.3變壓器型baker鉗位[5]8.3.4達林頓管(darlington)內部的baker鉗位電路8.3.5比例基極驅動[2~4]8.3.6其他類型的基極驅動電路參考文獻第9章大功率場效應管(mosfet)及其驅動電路9.1...
類別:開關電源 2013年06月18日 標簽: 開關電源設計
管(Darlington)內部的Baker鉗位電路 8.3.5 比例基極驅動[2~4] 8.3.6 其他類型的基極驅動電路 參考文獻 第9章 大功率場效應管(MOSFET)及其驅動電路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本工作原理 9.2.1 MOSFET管的輸出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的輸入阻抗和柵極電流 9.2.3 MOSFET管柵極驅動...
類別:開關電源 2013年07月15日 標簽: 開關電源
MOSFET開關過程理解 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程。開關過程中,功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在跨越恒流區時,功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導為正比例系列,線性增加。米勒平臺區對應著最大的負載...
類別:電機 2013年06月08日 標簽: MOSFET開關過程理解
N3856V動作原理說明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...
類別:IC設計及制造 2013年09月22日 標簽: N3856V動作原理說明

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描述: AP5909是一款帶三種亮度模式(常亮,弱亮和爆閃),電流摸控制的大功率 升壓型DC/DC LED驅動芯片 由于內置了低導通電阻的增強型N溝道功率MOSFET,因此適用于需要高效率,高輸出電流的應用電路. 另外,可通過在FB端子連接電流檢測電阻(Rsense)來限制輸出電流.由于將電流檢測電壓(VSENSE)設定為100mV,因此可減少在Rsense端產生...
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